您已经听说过软件定义的无线电,但软件定义的存储方式如何?来自IBM的最新信息让我们有机会赶上这种云的技术。
3天前经过Antonio Anzaldua Jr.
追逐低功耗是物联网设计考虑因素的圣杯。考虑到这一点,对话介绍了他们的新at25eu和闪光来接听电话。
4月30日,2021年4月经过阿德里安·吉布尔斯
凭借其最新的Bluefield DPU技术迭代,NVIDIA正在重新加工新的处理单元,以支持山区AI工作负载。
2021年4月16日经过Tyler Charboneau.
虽然制造场所停止和电子供应链百叶窗,芯片制造商和研究人员仍然很难开发更好的内存技术,以提高计算潜力。
4月8日,2021年4月经过阿德里安·吉布尔斯
随着Moore的法律游行,泄漏电流是另一个障碍。制造技术,设计方法和研究项目正在接受挑战。
4月5日,2021年4月经过杰克赫兹
通过安装数据需求,三星推出了具有HKMG工艺技术的新DDR5模块,可容纳AI,ML和超级计算应用。
4月02,2021经过Antonio Anzaldua Jr.
Micron宣布销售其犹他州芯片厂,因为它停止了与英特尔合作开发的“革命性”记忆芯片的生产。
2021年3月23日经过卢克詹姆斯
虽然DDR5通常被称为其增加的内存,加工可靠性和性能,但该DRAM的经常被忽视的功能是其安全功能 - 特别是在汽车应用中。
3月02,2021经过Antonio Anzaldua Jr.
麻省理工学院的研究人员创建了一种称为溅射的基于算法的架构,可降低自然语言处理(NLP)系统中的注意计算和内存访问。
2021年2月16日经过Antonio Anzaldua Jr.
瑞萨最近发布了12个新的MCU,用于IOT和工业用例 - 关键焦点是其唤醒时间,以及高性能,功率低,增强的安全性。
2月4日,2021年经过杰克赫兹
Micron声称将1Z DRAM节点的玻璃天花板折断,具有新的过程,可提高内存密度为40%。
2021年1月27日经过杰克赫兹
与往返冯新班班萨架构的趋势保持终结,法国研究人员克服了储存器的非理想特性,将贝叶斯网络带到了边缘。
2021年1月23日经过杰克赫兹
2020年,许多公司释放了旗舰低功耗器件,其目标是将AI带到边缘。我们将审查一些最近的一些,看看它们是如何比较的。
2020年12月28日经过杰克赫兹
尽管大流行病,但2020年是空间探索的巨大一年。在电路电平的每个特派团成功的情况下,枢转是辐射硬化的存储器件。
2020年12月21日经过Tyler Charboneau.
根据IC Insights的说法,DRAM是2020年最大的IC产品类别,销售额为652亿美元,其次是NAND的第二次以552亿美元。
2020年12月10日经过卢克詹姆斯
模拟计算可以是对边缘AI硬件的许多挑战的可行解决方案吗?我们与Mike Henry,Mickic of Mythic,看看他们为什么认为是。
12月02日,2020年12月经过杰克赫兹
新的研究推出了可以在含有氮的新型易于制造的材料中切换开启和关闭之间的磁性。
2020年11月26日经过卢克詹姆斯
在公司在闪存中被描述为闪存,性能和密度的突破,Micron已经发布了世界上第一个176层3D NAND。
11月17日,2020年经过卢克詹姆斯
随着对内存计算的需求,Xilinx和Samsung已经开始创建“一个尺寸适合所有”解决方案。
11月13日,2020年经过杰克赫兹
分析师预测,DDR5将在未来几年占据DRAM市场。如何校准DDR进行高峰记忆性能?
11月6日,2020年经过史蒂夫·阿拉尔
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