虽然制造场所停止和电子供应链百叶窗,芯片制造商和研究人员仍然很难开发更好的内存技术,以提高计算潜力。
4月8日,2021年4月经过艾德里安·吉本斯
Micron宣布销售其犹他州芯片厂,因为它停止了与英特尔合作开发的“革命性”记忆芯片的生产。
2021年3月23日经过卢克詹姆斯
美国芯片制造商英特尔将其部分NAND记忆芯片业务销售为SK Hynix,以90亿美元的交易将看到韩国半导体供应商成为世界第二大闪存芯片制造商。
2020年10月22日经过卢克詹姆斯
通过使用PCIe协议,NVMe解决了数据速率瓶颈的问题——证明它甚至比专为硬盘驱动器构建的SAS和SATA协议还要快。
2020年8月11日经过史蒂夫asrar
这两家公司推出了他们所称的“世界上最先进、安全的NOR闪存”,显示了英飞凌和柏树二人组的力量。
2020年6月16日经过加里·埃利诺夫
Micron的Hefty Memory Hardelation Portfolio如何让它们进行这种班次?
2020年4月29日经过凯布艾
本质上,内存设备持续到。但是,当涉及工业应用时,这些部件预计将远远超过消费品的存储器设备。
2020年4月28日经过Amos Kingatua.
琥珀解决方案的工程师已经实现了具有令人印象深刻的开关技术IP的电力控制,该公司现已获得专利。
2020年4月10日经过卢克詹姆斯
随着课程和工作转移到网上,人们把更多的时间花在了家里,占用了大量的数据中心。
2020年4月09年,经过加里·埃利诺夫
MAX32520基于Arm Cortex-M4处理器,采用物理不可克隆功能(PUF)技术增强安全性。
2020年2月28日经过加里·埃利诺夫
在本文中,我们将看一下建议的非易失性DRAM以及它如何比较当前的内存技术。
2020年2月14日经过罗宾米切尔
强大的NVM(非易失性存储器)现在可以更容易地在同一芯片上具有功率功能。
2019年10月18日经过加里·埃利诺夫
ST的新安全支付soc旨在提高非接触性能和保护,同时减少电力需求。
2019年10月17日经过加里·埃利诺夫
东芝最新的SLC NAND记忆产品系列专注于高转移率并提供替代方案,也不提供记忆。
2019年9月27日经过加里·埃利诺夫
PCIe Gen4和USB 3.2接口技术的采用显示了控制器芯片如何尝试匹配SSD设计中闪存的容量和速度。
2019年8月27日经过马吉德艾哈迈德
本周是第14届Flash Memory年度峰会,一个聚焦于记忆的会议。
2019年8月07经过加里·埃利诺夫
东芝内存刚刚宣布了一个微小的快速新的内存形式因子。
2019年8月6日经过Jennifer Delaosa.
新设备坚持严格的AEC-Q100二级标准,容量从32GB到256GB。
2019年3月27日,经过加里·埃利诺夫
本周,Adesto Technologies介绍了其新的FusionHD非易失性记忆(NVMS)。
2019年3月03日经过加里·埃利诺夫
东芝内存美国推出了新的嵌入式闪存设备,利用UFS版本3.0规范。
2019年1月23日经过加里·埃利诺夫
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