尽管芯片制造陷入停顿,电子供应链关闭,但芯片制造商和研究人员仍在努力开发更好的存储技术,以增强计算潜力。
2021年4月08日通过艾德里安·吉本斯
泄漏电流是摩尔定律发展的另一个障碍。制造技术、设计方法和研究项目正在接受挑战。
2021年4月5日通过杰克赫兹
随着数据需求的增加,三星推出了一款新的DDR5模块,采用HKMG工艺技术,以适应人工智能、机器学习和超级计算应用。
2021年4月2日通过安东尼奥Anzaldua Jr。
虽然DDR5因其增强的内存、处理可靠性和性能而备受赞誉,但这种DRAM的一个经常被忽视的特性是其安全能力——尤其是在汽车应用中。
2021年3月2日通过安东尼奥Anzaldua Jr。
美光公司声称已经打破了1z DRAM节点的玻璃天花板,采用了一种新工艺,将内存密度提高了40%。
2021年1月27日通过杰克赫兹
法国研究人员克服了记忆电阻器的非理想特性,将贝叶斯网络带到了边缘。
2021年1月23日通过杰克赫兹
尽管发生了大流行,但2020年是空间探索具有里程碑意义的一年。在电路层面,每项任务成功的关键是抗辐射存储设备。
2020年12月21日通过泰勒Charboneau
根据IC Insights的数据,DRAM是2020年最大的IC产品类别,销售额为652亿美元,NAND紧随其后,销售额为552亿美元。
2020年12月10日,通过路加福音詹姆斯
分析师预测,DDR5将在未来几年主导DRAM市场。如何校准DDR以获得最佳内存性能?
2020年11月6日通过史蒂夫asrar
作为EE,您可能想知道DDR5如何支持如此快速的传输速率。其中一个因素是一种被称为决策反馈均衡(DFE)的均衡技术。
2020年10月29日通过史蒂夫asrar
随着5G的速度和存储需求与摩尔定律的终结发生冲突,芯片制造商正转向多芯片封装以节省空间和电力。
2020年10月26日通过史蒂夫asrar
本周,Arm宣布将把CeRAM的全部IP资产转移给Cerfe Labs,同时收购新公司的少数股权。
2020年10月08通过杰克赫兹
DDR5没有明确的发布日期,但DDR4正在取得重大进展。
2020年9月18日,通过安东尼奥Anzaldua Jr。
本周,瑞萨发布了他们的最新产品:DDR5数据缓冲区,旨在增强新一代高性能计算应用。
2020年9月11日通过杰克赫兹
通过使用PCIe协议,NVMe解决了数据速率瓶颈的问题——证明它甚至比专为硬盘驱动器构建的SAS和SATA协议还要快。
2020年8月11日,通过史蒂夫asrar
利用范德瓦尔斯材料,南加州大学的研究人员在基于铁电隧道结的非易失性存储器方面取得了突破。
2020年7月27日,通过杰克赫兹
新设备支持高达460g / s的带宽。
2020年7月3日,通过加里Elinoff
三种新发布的fpga可以告诉我们很多关于这些设备在行业的方向。
2020年7月2日通过史蒂夫asrar
什么是磁skymion ?它又是如何成为更高效的磁性存储器的关键呢?
2020年7月2日通过杰克赫兹
错误校正码究竟是如何工作的,它们如何影响MCU的完整性?Maxim Integrated公司的一款新型ecc保护Arm Cortex-M4F MCU就是一个实例。
2020年6月23日通过杰克赫兹
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