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ROHM Touts 200V肖特基二极管超低漏电流

2019年11月20日通过罗宾·米切尔

最新的RBxx8肖特基二极管能够承受200V正向电压,而他们的前辈能够承受150V。

ROHM最近公布了其最新的200V超低红外肖特基势垒二极管。罗门哈斯预见,RBxx8BM / NS200这是ROHM RBxx8 SBDs产品线的扩展,将能够取代汽车中常见的快速恢复二极管(FRD)和整流二极管。

ROHM声称,新的sbd改善了正向电压——具体来说,降低了VF比其他frd高出11%。

正向电压比较

正向电压的比较。从图片罗门哈斯

该公司将RBxx8BM/NS200能够承受200V电压归因于其低泄漏电流特性。

规范

正向电压和反向电流

最新的RBxx8肖特基二极管能够承受200V正向电压,而他们的前辈能够承受150V。

反向电流比较

泄漏电流的比较。从图片罗门哈斯

这种新型二极管具有非常低的反向漏电流(比标准肖特基阻挡二极管低90%(低至8µa)),同时正向电流高达10A,平均正向整流电流高达20A。

减少尺寸

RBxx8BM/NS200封装尺寸减小,新范围的二极管比标准快速恢复二极管小71%。

TO-252 dak和to -263 D2PAK

TO-252 dak和TO-263S D2PAK。从图片罗门哈斯

该范围内的所有设备都可以在汽车合格的封装,包括TO-252 dak和TO-263S D2PAK。

温度

SBD的正向电压降的降低显著地减少了热量的产生。二极管的最大结温为150°C。ROHM表示,这种设计可以承受高温的金属屏障也可以改善低漏电流。

许多这些特性都要归功于二极管的结构,它包含了两个并联二极管,它们共享一个共同的阴极连接,但有两个单独的阳极连接。

RBxx8BM / NS200

RBxx8BM/NS200是ROHM的RBxx8系列SBDs的扩展。从图片罗门哈斯

这一特性的顶点为RBxx8系列开启了一系列的应用,包括汽车空间,电源设计,电机控制,和驱动系统。

硅基信号二极管与肖特基二极管

新二极管的设计是为了解决与肖特基二极管相关的许多问题,特别是与正向电压、反向电流、导通电阻和操作速度有关的问题。

作为一个对比的例子,基于硅的信号二极管有非常低的泄漏电流,能够承受大的反向电压,但可能响应缓慢(即不理想的高频)和有大的正向电压。

另一方面,肖特基二极管,如8个新的sbd到RBxx8系列有一个低得多的正向电压降(通常小于0.2V),这使他们在电源应用中很有用。

然而,由于它们的结构(由硅金属结组成,而不是PN结),它们通常有较大的反向漏电流。它们也不能承受pn基二极管所能承受的反向电压。

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