凭借最新的BlueField DPU技术,英伟达正在重新设计新的处理单元,以支持多山的AI工作负载。
2021年4月16日经过泰勒Charboneau
虽然制造场所停止和电子供应链百叶窗,芯片制造商和研究人员仍然很难开发更好的内存技术,以提高计算潜力。
4月8日,2021年4月经过艾德里安·吉本斯
泄漏电流是摩尔定律发展的另一个障碍。制造技术、设计方法和研究项目正在接受挑战。
4月5日,2021年4月经过杰克赫兹
通过安装数据需求,三星推出了具有HKMG工艺技术的新DDR5模块,可容纳AI,ML和超级计算应用。
4月02,2021经过Antonio Anzaldua Jr.
Micron宣布销售其犹他州芯片厂,因为它停止了与英特尔合作开发的“革命性”记忆芯片的生产。
2021年3月23日经过卢克詹姆斯
虽然DDR5通常被称为其增加的内存,加工可靠性和性能,但该DRAM的经常被忽视的功能是其安全功能 - 特别是在汽车应用中。
2021年3月2日经过Antonio Anzaldua Jr.
麻省理工学院的研究人员创建了一种称为溅射的基于算法的架构,可降低自然语言处理(NLP)系统中的注意计算和内存访问。
2021年2月16日经过Antonio Anzaldua Jr.
瑞萨最近发布了12个新的MCU,用于IOT和工业用例 - 关键焦点是其唤醒时间,以及高性能,功率低,增强的安全性。
2月4日,2021年经过杰克赫兹
Micron声称将1Z DRAM节点的玻璃天花板折断,具有新的过程,可提高内存密度为40%。
2021年1月27日经过杰克赫兹
总结
2021年1月24日经过凯文Aylward
法国研究人员克服了记忆电阻器的非理想特性,将贝叶斯网络带到了边缘。
2021年1月23日经过杰克赫兹
Redriver或Retimer设备可以扩展外围组件接口Express(PCIe®)协议信号范围。本文讨论了如何选择最佳用于计算系统和NVME™存储应用程序,并进入未来。
2021年1月12日经过Tam Do,Microchip
本文讨论了在设计中使用有限状态机(或FSM),包括初始状态和内存配置影响FPGA设计的方式。
1月4日,2021年经过Eduardocorpeño.
2020年,许多公司发布了旗舰级低功耗设备,目标是将人工智能推向极致。我们将回顾一些最新的,看看它们比较起来如何。
2020年12月28日经过杰克赫兹
尽管发生了大流行,但2020年是空间探索具有里程碑意义的一年。在电路层面,每项任务成功的关键是抗辐射存储设备。
2020年12月21日经过泰勒Charboneau
根据IC Insights的说法,DRAM是2020年最大的IC产品类别,销售额为652亿美元,其次是NAND的第二次以552亿美元。
2020年12月10日,经过卢克詹姆斯
模拟计算能解决边缘AI硬件面临的诸多挑战吗?我们采访了Mythic的首席执行官迈克·亨利,看看他们为什么这么认为。
12月02日,2020年12月经过杰克赫兹
本文探讨了IEC 60730 B级功能安全标准,适用于电器的机械和电气设计。了解标准需要什么,以及帮助满足这些标准的控制器。
2020年12月01日经过查德·所罗门,微芯片技术公司
新的研究推出了可以在含有氮的新型易于制造的材料中切换开启和关闭之间的磁性。
2020年11月26日经过卢克詹姆斯
在公司在闪存中被描述为闪存,性能和密度的突破,Micron已经发布了世界上第一个176层3D NAND。
11月17日,2020年经过卢克詹姆斯
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